Image is for reference only , details as Specifications

BSZ100N06LS3GATMA1

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	BSZ100N06LS3GATMA1
Описание:	MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	OptiMOS™
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max)	2.2V @ 23µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	10mOhm @ 20A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	2.1W (Ta), 50W (Tc)
Пакет устройств поставщика	PG-TSDSON-8
Заряд ворот (Кг) (Макс)	45nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	60V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	3500pF @ 30V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	11A (Ta), 20A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	4.5V, 10V