Image is for reference only , details as Specifications

BSZ120P03NS3GATMA1

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	BSZ120P03NS3GATMA1
Описание:	MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	OptiMOS™
Тип FET	P-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	±25V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max)	3.1V @ 73µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	12mOhm @ 20A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	2.1W (Ta), 52W (Tc)
Пакет устройств поставщика	PG-TSDSON-8
Заряд ворот (Кг) (Макс)	45nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	3360pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	11A (Ta), 40A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	6V, 10V