BSZ22DN20NS3GATMA1
Производителей: | Infineon Technologies |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Лист данных: | BSZ22DN20NS3GATMA1 |
Описание: | MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Infineon Technologies |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Серии | OptiMOS™ |
Тип FET | N-Channel |
Упаковки | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Макс) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Функция FET | - |
Статус части | Active |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | 8-PowerTDFN |
Vgs (th) (Max) | 4V @ 13µA |
Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 225mOhm @ 3.5A, 10V |
Рассеивание мощности (Макс) | 34W (Tc) |
Пакет устройств поставщика | PG-TSDSON-8 |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 5.6nC @ 10V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 200V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 430pF @ 100V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 7A (Tc) |
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 10V |
На складе 72 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.38 | $0.37 | $0.36 |
Минимальный: 1