Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

BUZ32 H

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	BUZ32 H
Описание:	MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	SIPMOS®
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tube
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Obsolete
Тип монтажа	Through Hole
Пакет / Дело	TO-220-3
Vgs (th) (Max)	4V @ 1mA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	400mOhm @ 6A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	75W (Tc)
Пакет устройств поставщика	PG-TO220-3
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	200V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	530pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	9.5A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V