Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

DD1200S12H4HOSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: DD1200S12H4HOSA1
Описание: MOD DIODE 1200A IHMB130-2
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT -
Статус части Active
Мощность - Макс 1200000W
Конфигурации 2 Independent
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор No
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 150°C
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 2.35V @ 15V, 1200A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 1200A
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 93 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$616.97 $604.63 $592.54
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FF900R12IP4DVBOSA1
Infineon Technologies
$610.31
FZ1200R12HE4PHPSA1
Infineon Technologies
$607.66
FD401R17KF6C_B2
Infineon Technologies
$750.92
FS900R08A2P2B31BOSA1
Infineon Technologies
$747.69
FS450R17KE3BOSA1
Infineon Technologies
$732.24