Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов
DF11MR12W1M1B11BOMA1
| Производителей: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Лист данных: | DF11MR12W1M1B11BOMA1 |
| Описание: | MOSFET MODULE 1200V 50A |
| Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производителя | Infineon Technologies |
| Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Серии | CoolSiC™+ |
| Тип FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Упаковки | Tray |
| Функция FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Статус части | Obsolete |
| Мощность - Макс | 20mW |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Пакет / Дело | Module |
| Vgs (th) (Max) | 5.5V @ 20mA |
| Операционная температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Макс) - Id, Vgs | 23mOhm @ 50A, 15V |
| Пакет устройств поставщика | Module |
| Заряд ворот (Кг) (Макс) | 125nC @ 5V |
| Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 3950pF @ 800V |
| Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 50A |
На складе 21 pcs
| Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $127.96 | $125.40 | $122.89 |
Минимальный: 1
Запрос Цитата
Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее
Bargain Finds
