Image is for reference only , details as Specifications

DF120R12W2H3B27BOMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: DF120R12W2H3B27BOMA1
Описание: IGBT MODULE 800V 50A
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT -
Статус части Active
Мощность - Макс 180W
Конфигурации Three Phase Inverter
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор Yes
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 150°C
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 2.4V @ 15V, 40A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 50A
Вхотогие емки (Cies) 2.35nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 1mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 51 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$54.27 $53.18 $52.12
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

VS-GT140DA60U
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$54.09
MUBW45-12T6K
IXYS
$54.08
MIXA40W1200TED
IXYS
$53.3
MID145-12A3
IXYS
$53.11
MWI60-12T6K
IXYS
$52.67