Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

DF200R12KE3HOSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: DF200R12KE3HOSA1
Описание: IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT -
Статус части Active
Мощность - Макс 1040W
Конфигурации Single
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор No
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 125°C
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 2.15V @ 15V, 200A
Вхотогие емки (Cies) 14nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 5mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 98 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$92.29 $90.44 $88.64
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

BSM100GB120DLCKHOSA1
Infineon Technologies
$90.99
FD300R06KE3HOSA1
Infineon Technologies
$90.67
MWI50-12T7T
IXYS
$90.5
F1225R12KT4GBOSA1
Infineon Technologies
$89.49
FZ300R12KE3GHOSA1
Infineon Technologies
$89.45