Image is for reference only , details as Specifications
DF200R12W1H3B27BOMA1
| Производителей: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Категория продукции: | Transistors - IGBTs - Modules |
| Лист данных: | DF200R12W1H3B27BOMA1 |
| Описание: | IGBT MODULE VCES 1200V 200A |
| Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производителя | Infineon Technologies |
| Категория продукции | Transistors - IGBTs - Modules |
| Вход | Standard |
| Серии | - |
| Тип IGBT | - |
| Статус части | Active |
| Мощность - Макс | 375W |
| Конфигурации | 2 Independent |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| NTC Термистор | Yes |
| Пакет / Дело | Module |
| Операционная температура | -40°C ~ 150°C |
| Пакет устройств поставщика | Module |
| Vce (на) (Макс) | 1.3V @ 15V, 30A |
| Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) | 30A |
| Вхотогие емки (Cies) | 2nF @ 25V |
| Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) | 1mA |
| Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) | 1200V |
На складе 53 pcs
| Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $50.67 | $49.66 | $48.66 |
Минимальный: 1
Запрос Цитата
Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее
Bargain Finds