Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

DF200R12W1H3FB11BOMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: DF200R12W1H3FB11BOMA1
Описание: MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии EasyPACK™
Тип IGBT Trench Field Stop
Статус части Not For New Designs
Мощность - Макс 20mW
Конфигурации Three Phase Inverter
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор Yes
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 150°C
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 1.45V @ 15V, 30A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 30A
Вхотогие емки (Cies) 6.15nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 1mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 86 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$73.56 $72.09 $70.65
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

MUBW35-12A8
IXYS
$73.51
MG06100S-BR1MM
Littelfuse Inc.
$73.49
FP50R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
$73.34
MIXA80W1200TED
IXYS
$73.11
FS75R07N2E4B11BOSA1
Infineon Technologies
$72.79