Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

DF650R17IE4BOSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: DF650R17IE4BOSA1
Описание: MOD IGBT 650A PRIME2-1
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии PrimePack™2
Тип IGBT -
Статус части Active
Мощность - Макс 4150W
Конфигурации Single
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор Yes
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 150°C
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 2.45V @ 15V, 650A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 930A
Вхотогие емки (Cies) 54nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 5mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1700V

На складе 80 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$385.34 $377.63 $370.08
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

DF600R12IP4DBOSA1
Infineon Technologies
$383.41
F575R06KE3B5BOSA1
Infineon Technologies
$381.78
FS300R12OE4BOSA1
Infineon Technologies
$373.93
FF450R12IE4BOSA2
Infineon Technologies
$370.48
VS-GB150TH120N
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$358.58