Image is for reference only , details as Specifications

F1235R12KT4GBOSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: F1235R12KT4GBOSA1
Описание: IGBT F1235R12KT4GBOSA1
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT Trench Field Stop
Статус части Obsolete
Мощность - Макс 210W
Конфигурации Single
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор No
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 2.15V @ 15V, 35A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 35A
Вхотогие емки (Cies) 2nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 1mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 86 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FZ1200R17KE3B2NOSA1
Infineon Technologies
$0
FZ1200R12KL4CNOSA1
Infineon Technologies
$0
FZ1200R12KF5NOSA1
Infineon Technologies
$0
VS-150MT060WDF-P
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$0
FS820R08A6P2LMBPSA1
Infineon Technologies
$0