Image is for reference only , details as Specifications

F4100R12KS4BOSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: F4100R12KS4BOSA1
Описание: IGBT MODULE VCES 1200V 100A
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT -
Статус части Active
Мощность - Макс 660W
Конфигурации Three Phase Inverter
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор Yes
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 125°C
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 3.75V @ 15V, 100A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 130A
Вхотогие емки (Cies) 6.8nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 5mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 89 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$158.89 $155.71 $152.60
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FS200R07N3E4RB11BOSA1
Infineon Technologies
$158.42
VS-GB300NH120N
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$158.34
FF600R07ME4B11BOSA1
Infineon Technologies
$157.86
FS100R17N3E4B11BOSA1
Infineon Technologies
$157.68
IFS100B12N3E4B31BOSA1
Infineon Technologies
$157.18