Image is for reference only , details as Specifications

F475R07W2H3B51BPSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: F475R07W2H3B51BPSA1
Описание: MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT -
Статус части Active
Мощность - Макс 250W
Конфигурации Three Phase Inverter
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор Yes
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 1.55V @ 15V, 37.5A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 75A
Вхотогие емки (Cies) 4.7nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 1mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 650V

На складе 79 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$59.11 $57.93 $56.77
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

GSID080A120B1A5
Global Power Technologies Group
$58.36
MUBW15-12T7
IXYS
$57.97
MUBW10-12A7
IXYS
$57.95
VS-70MT060WHTAPBF
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$57.79
MII100-12A3
IXYS
$57.78