Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

FD-DF80R12W1H3_B52

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: FD-DF80R12W1H3_B52
Описание: IGBT MODULE VCES 1200V 40A
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT Trench Field Stop
Статус части Active
Мощность - Макс 215W
Конфигурации Single
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор Yes
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 125°C
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 2.4V @ 15V, 40A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 40A
Вхотогие емки (Cies) 235nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 1mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 73 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$35.99 $35.27 $34.56
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IXGN400N60A3
IXYS
$35.85
MWI15-12A6K
IXYS
$35.69
MID75-12A3
IXYS
$41.16
CPV364M4U
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$41.09
CPV363M4K
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$41.09