Image is for reference only , details as Specifications

FD200R12PT4B6BOSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: FD200R12PT4B6BOSA1
Описание: IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT Trench Field Stop
Статус части Active
Мощность - Макс 1100W
Конфигурации Three Phase Inverter
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор Yes
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 150°C
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 2.1V @ 15V, 200A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 300A
Вхотогие емки (Cies) 12.5nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 15µA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 85 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$181.13 $177.51 $173.96
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

DF200R12PT4B6BOSA1
Infineon Technologies
$181.13
BYM600A170DN2HOSA1
Infineon Technologies
$180.01
BYM300B170DN2HOSA1
Infineon Technologies
$180.01
FF450R12ME4PB11BOSA1
Infineon Technologies
$179.59
FF450R12ME4PBOSA1
Infineon Technologies
$179.59