FF11MR12W1M1B11BOMA1
Производителей: | Infineon Technologies |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Лист данных: | FF11MR12W1M1B11BOMA1 |
Описание: | MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Infineon Technologies |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Серии | CoolSiC™+ |
Тип FET | 2 N-Channel (Dual) |
Упаковки | Tray |
Функция FET | Silicon Carbide (SiC) |
Статус части | Active |
Мощность - Макс | - |
Тип монтажа | Chassis Mount |
Пакет / Дело | Module |
Vgs (th) (Max) | 5.55V @ 40mA |
Операционная температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 11mOhm @ 100A, 15V |
Пакет устройств поставщика | Module |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 250nC @ 15V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 7950pF @ 800V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 100A |
На складе 7 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$155.83 | $152.71 | $149.66 |
Минимальный: 1