Image is for reference only , details as Specifications

FF11MR12W1M1B11BOMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: FF11MR12W1M1B11BOMA1
Описание: MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии CoolSiC™+
Тип FET 2 N-Channel (Dual)
Упаковки Tray
Функция FET Silicon Carbide (SiC)
Статус части Active
Мощность - Макс -
Тип монтажа Chassis Mount
Пакет / Дело Module
Vgs (th) (Max) 5.55V @ 40mA
Операционная температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 11mOhm @ 100A, 15V
Пакет устройств поставщика Module
Заряд ворот (Кг) (Макс) 250nC @ 15V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 1200V (1.2kV)
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 7950pF @ 800V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 100A

На складе 7 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$155.83 $152.71 $149.66
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

AUIRF7341QTR
Infineon Technologies
$0
AUIRF7313QTR
Infineon Technologies
$0
IPG20N04S4L07ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPG20N04S408AATMA1
Infineon Technologies
$0
IPG20N04S408ATMA1
Infineon Technologies
$0