Image is for reference only , details as Specifications

FF200R12KE4HOSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: FF200R12KE4HOSA1
Описание: IGBT MODULE 1200V 200A
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии C
Тип IGBT Trench Field Stop
Статус части Active
Мощность - Макс 1100W
Конфигурации Half Bridge
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор No
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 2.15V @ 15V, 200A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 240A
Вхотогие емки (Cies) 14nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 5mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 24 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$100.81 $98.79 $96.82
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

BSM200GB60DLCHOSA1
Infineon Technologies
$93.22
FF150R12RT4HOSA1
Infineon Technologies
$62.51
MG1250S-BA1MM
Littelfuse Inc.
$57.75
FS30R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies
$29.11
IXGN120N60A3D1
IXYS
$28.43