Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

FF200R12KT3HOSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: FF200R12KT3HOSA1
Описание: IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT Trench Field Stop
Статус части Active
Мощность - Макс 1050W
Конфигурации 2 Independent
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор No
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 125°C
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 2.15V @ 15V, 200A
Вхотогие емки (Cies) 14nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 5mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 61 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$103.69 $101.62 $99.58
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FF200R12KE3HOSA1
Infineon Technologies
$103.69
FP75R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
$103.49
MDI200-12A4
IXYS
$103.2
FS75R12KT3BOSA1
Infineon Technologies
$103.12
FP40R12KT3GBOSA1
Infineon Technologies
$103.12