Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

FF200R17KE4HOSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: FF200R17KE4HOSA1
Описание: IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT Trench Field Stop
Статус части Active
Мощность - Макс 1250W
Конфигурации 2 Independent
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор No
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 150°C
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 2.3V @ 15V, 200A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 310A
Вхотогие емки (Cies) 18nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 1mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1700V

На складе 68 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$116.63 $114.30 $112.01
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

MIXA81WB1200TEH
IXYS
$116.4
VS-GB150LH120N
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$116.21
F475R12KS4B11BOSA1
Infineon Technologies
$115.99
FF225R12ME4PBPSA1
Infineon Technologies
$115.56
FF225R12ME4PB11BPSA1
Infineon Technologies
$115.51