Image is for reference only , details as Specifications

FF225R12ME4BOSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: FF225R12ME4BOSA1
Описание: IGBT MODULE VCES 1200V 225A
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT Trench Field Stop
Статус части Active
Мощность - Макс 1050W
Конфигурации 2 Independent
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор Yes
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 150°C
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 2.15V @ 15V, 225A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 320A
Вхотогие емки (Cies) 13nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 3mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 63 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$107.51 $105.36 $103.25
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FP50R12KT3BOSA1
Infineon Technologies
$107.14
FF200R12KE4PHOSA1
Infineon Technologies
$106.88
DDB6U180N16RRB37BOSA1
Infineon Technologies
$106.56
FP50R12KT4GB15BOSA1
Infineon Technologies
$106.12
FP50R12KT4GBOSA1
Infineon Technologies
$106.12