Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

FF50R12RT4HOSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: FF50R12RT4HOSA1
Описание: IGBT MODULE 1200V 50A
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT Trench Field Stop
Статус части Active
Мощность - Макс 285W
Конфигурации Half Bridge
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор No
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 2.15V @ 15V, 50A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 50A
Вхотогие емки (Cies) 2.8nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 1mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 56 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$45.90 $44.98 $44.08
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

VS-CPV364M4KPBF
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$45.15
GB100XCP12-227
GeneSiC Semiconductor
$223.62
MG12450WB-BN2MM
Littelfuse Inc.
$201.35
MG12300D-BN2MM
Littelfuse Inc.
$170.4
MG12400D-BN2MM
Littelfuse Inc.
$167.62