Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

FF650R17IE4DB2BOSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: FF650R17IE4DB2BOSA1
Описание: IGBT MODULE VCES 1700V 650A
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT -
Статус части Active
Мощность - Макс 4150W
Конфигурации 2 Independent
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор Yes
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 150°C
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 2.45V @ 15V, 650A
Вхотогие емки (Cies) 54nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 5mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1700V

На складе 85 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$580.03 $568.43 $557.06
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

VS-GB300TH120U
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$574.84
VS-GB300TH120N
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$574.84
FF900R12IE4VPBOSA1
Infineon Technologies
$572.64
FF900R12IP4DBOSA2
Infineon Technologies
$559.59
FS300R17KE3BOSA1
Infineon Technologies
$555.11