Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

FF8MR12W2M1B11BOMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: FF8MR12W2M1B11BOMA1
Описание: MOSFET MODULE 1200V 150A
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии CoolSiC™+
Тип FET 2 N-Channel (Dual)
Функция FET Silicon Carbide (SiC)
Статус части Active
Мощность - Макс 20mW (Tc)
Тип монтажа Chassis Mount
Пакет / Дело Module
Vgs (th) (Max) 5.55V @ 60mA
Операционная температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ)
Пакет устройств поставщика AG-EASY2BM-2
Заряд ворот (Кг) (Макс) 372nC @ 15V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 1200V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 11000pF @ 800V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 150A (Tj)

На складе 13 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$233.75 $229.08 $224.49
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FS45MR12W1M1B11BOMA1
Infineon Technologies
$133.67
FF45MR12W1M1B11BOMA1
Infineon Technologies
$57.6
ZXMC3F31DN8TA
Diodes Incorporated
$0