Image is for reference only , details as Specifications

FP150R07N3E4B11BOSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: FP150R07N3E4B11BOSA1
Описание: IGBT MODULE VCES 650V 150A
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT Trench Field Stop
Статус части Active
Мощность - Макс 430W
Конфигурации Three Phase Inverter
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор Yes
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 150°C
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 1.95V @ 15V, 150A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 150A
Вхотогие емки (Cies) 9.3nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 1mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 650V

На складе 87 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$140.21 $137.41 $134.66
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FP75R12KT3BOSA1
Infineon Technologies
$140.12
IFF300B12ME4PB11BPSA1
Infineon Technologies
$145.69
FF225R17ME4PB11BPSA1
Infineon Technologies
$145.53
MIXA151W1200EH
IXYS
$151.12
VS-GB300LH120N
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$158.34