Image is for reference only , details as Specifications

FP25R12W2T4B11BOMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: FP25R12W2T4B11BOMA1
Описание: IGBT MODULE 1200V 25A
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT Trench Field Stop
Статус части Active
Мощность - Макс 175W
Конфигурации Three Phase Inverter
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор Yes
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 2.25V @ 15V, 25A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 39A
Вхотогие емки (Cies) 1.45nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 1mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 21 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$49.49 $48.50 $47.53
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

VS-GA200SA60UP
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$38.14
FP75R12KE3BOSA1
Infineon Technologies
$147.07
VS-ENQ030L120S
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$117.94
MG1275S-BA1MM
Littelfuse Inc.
$65.28
MG0675S-BN4MM
Littelfuse Inc.
$64.65