Image is for reference only , details as Specifications

FP35R12KT4B11BOSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: FP35R12KT4B11BOSA1
Описание: IGBT MODULE VCES 1200V 35A
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT Trench Field Stop
Статус части Active
Мощность - Макс 210W
Конфигурации Three Phase Inverter
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор Yes
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 150°C
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 2.15V @ 15V, 35A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 35A
Вхотогие емки (Cies) 2nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 1mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 16 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$81.56 $79.93 $78.33
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

BSM100GB60DLCHOSA1
Infineon Technologies
$72.67
A2C35S12M3-F
STMicroelectronics
$54.92
A2C25S12M3-F
STMicroelectronics
$54.51
A2C35S12M3
STMicroelectronics
$54.05
FP25R12W2T4PB11BPSA1
Infineon Technologies
$52.95