Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

FP35R12KT4BOSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: FP35R12KT4BOSA1
Описание: IGBT MODULE VCES 1200V 35A
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT Trench Field Stop
Статус части Active
Мощность - Макс 210W
Конфигурации Three Phase Inverter
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор Yes
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 150°C
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 2.25V @ 15V, 35A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 35A
Вхотогие емки (Cies) 2nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 1mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 93 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$76.29 $74.76 $73.27
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

BSM150GB60DLCHOSA1
Infineon Technologies
$76.28
FP50R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
$75.55
FP35R12U1T4BPSA1
Infineon Technologies
$75.44
CM100DU-12F
Powerex, Inc.
$75.44
FS50R12KT4B15BOSA1
Infineon Technologies
$75.28