FP35R12W2T4B11BOMA1
Производителей: | Infineon Technologies |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - IGBTs - Modules |
Лист данных: | FP35R12W2T4B11BOMA1 |
Описание: | IGBT MODULE 1200V 35A |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Infineon Technologies |
Категория продукции | Transistors - IGBTs - Modules |
Вход | Standard |
Серии | - |
Тип IGBT | Trench Field Stop |
Статус части | Active |
Мощность - Макс | 215W |
Конфигурации | Three Phase Inverter |
Тип монтажа | Chassis Mount |
NTC Термистор | Yes |
Пакет / Дело | Module |
Операционная температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Пакет устройств поставщика | Module |
Vce (на) (Макс) | 2.25V @ 15V, 35A |
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) | 54A |
Вхотогие емки (Cies) | 2nF @ 25V |
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) | 1mA |
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) | 1200V |
На складе 26 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$50.57 | $49.56 | $48.57 |
Минимальный: 1