Image is for reference only , details as Specifications

FP35R12W2T4BOMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: FP35R12W2T4BOMA1
Описание: IGBT MODULE VCES 1200V 35A
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT Trench Field Stop
Статус части Active
Мощность - Макс 215W
Конфигурации Three Phase Inverter
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор Yes
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 150°C
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 2.25V @ 15V, 35A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 54A
Вхотогие емки (Cies) 2nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 1mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 58 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$49.84 $48.84 $47.87
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

MDI75-12A3
IXYS
$49.69
MDI145-12A3
IXYS
$53.11
VWI35-06P1
IXYS
$53.06
MKI50-06A7T
IXYS
$53
F3L100R12W2H3B11BPSA1
Infineon Technologies
$55.43