Image is for reference only , details as Specifications

FP50R12KE3BOSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: FP50R12KE3BOSA1
Описание: IGBT MODULE 1200V 50A
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии *
Тип IGBT NPT
Статус части Active
Мощность - Макс 280W
Конфигурации Single
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор No
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 125°C (TJ)
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 2.15V @ 15V, 50A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 75A
Вхотогие емки (Cies) 3.5nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 5mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 7 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$112.46 $110.21 $108.01
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

VS-ETF150Y65N
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$71.99
GHIS060A120S-A1
Global Power Technologies Group
$42.23
GHIS080A060S-A2
Global Power Technologies Group
$42.05
GHIS080A060S-A1
Global Power Technologies Group
$42.05
GHIS040A120S-A1
Global Power Technologies Group
$40.74