Image is for reference only , details as Specifications

FP50R12KT4B11BOSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: FP50R12KT4B11BOSA1
Описание: IGBT MODULE 1200V 50A
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии *
Тип IGBT Trench Field Stop
Статус части Active
Мощность - Макс 280W
Конфигурации Three Phase Inverter
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор Yes
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 2.15V @ 15V, 50A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 50A
Вхотогие емки (Cies) 2.8nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 1mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 29 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$101.69 $99.66 $97.66
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FF200R06KE3HOSA1
Infineon Technologies
$87.89
VS-GB90DA120U
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$87.59
DDB6U134N16RRBOSA1
Infineon Technologies
$78.29
VS-CPV364M4FPBF
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$42.89
IXYN82N120C3H1
IXYS
$36.67