Image is for reference only , details as Specifications

FS35R12W1T4BOMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: FS35R12W1T4BOMA1
Описание: IGBT MODULE 1200V 35A
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT Trench Field Stop
Статус части Active
Мощность - Макс 225W
Конфигурации Three Phase Inverter
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор Yes
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 2.25V @ 15V, 35A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 65A
Вхотогие емки (Cies) 2nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 1mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 75 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$38.32 $37.55 $36.80
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IXYN80N90C3H1
IXYS
$33.3
FF600R12IE4BOSA1
Infineon Technologies
$396.14
IXGN200N60B3
IXYS
$32.58
FF900R12IP4BOSA2
Infineon Technologies
$487.08
IXGN320N60A3
IXYS
$27.12