Image is for reference only , details as Specifications

FZ1200R17HE4HOSA2

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: FZ1200R17HE4HOSA2
Описание: MODULE IGBT IHMB130-2
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT -
Статус части Active
Мощность - Макс 7800W
Конфигурации Single Switch
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор No
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 150°C
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 2.3V @ 15V, 1200A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 1200A
Вхотогие емки (Cies) 97nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 5mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1700V

На складе 87 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$622.90 $610.44 $598.23
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FS820R08A6P2LBBPSA1
Infineon Technologies
$604.84
DF1000R17IE4DB2BOSA1
Infineon Technologies
$603.16
FF650R17IE4DPB2BOSA1
Infineon Technologies
$599.95
FS820R08A6P2BPSA1
Infineon Technologies
$599.26
FS820R08A6P2BBPSA1
Infineon Technologies
$599.26