Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

FZ1200R33HE3BPSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: FZ1200R33HE3BPSA1
Описание: MODULE IGBT IHVB190-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT Trench Field Stop
Статус части Active
Мощность - Макс 13000W
Конфигурации Full Bridge
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор No
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 150°C
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 3.2V @ 15V, 1200A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 1200A
Вхотогие емки (Cies) 210nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 5mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 3300V

На складе 57 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1,664.28 $1,630.99 $1,598.37
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FZ3600R17HP4B2BOSA2
Infineon Technologies
$1641.76
MIO1200-33E10
IXYS
$1633.91
DD800S45KL3B5NPSA1
Infineon Technologies
$1588.86
FZ1000R33HL3BPSA1
Infineon Technologies
$1554.13
FZ1000R33HE3BPSA1
Infineon Technologies
$1554.13