Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

FZ1200R45KL3B5NOSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: FZ1200R45KL3B5NOSA1
Описание: MODULE IGBT A-IHV190-4
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT -
Статус части Active
Мощность - Макс 13500W
Конфигурации Single
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор No
Пакет / Дело Module
Операционная температура -50°C ~ 125°C
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 2.85V @ 15V, 1200A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 1200A
Вхотогие емки (Cies) 280nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 5mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 4500V

На складе 81 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2,372.33 $2,324.88 $2,278.39
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FMG2G75US120
ON Semiconductor
$0
FMG2G50US120
ON Semiconductor
$0
FMG2G400LS60
ON Semiconductor
$0
FMG2G150US60E
ON Semiconductor
$0
FMG2G200US60
ON Semiconductor
$0