Image is for reference only , details as Specifications

FZ1800R12HE4B9HOSA2

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: FZ1800R12HE4B9HOSA2
Описание: MODULE IGBT IHMB190-2
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT Trench Field Stop
Статус части Active
Мощность - Макс 11000W
Конфигурации Single Switch
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор No
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 150°C
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 2.1V @ 15V, 1800A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 2735A
Вхотогие емки (Cies) 110nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 5mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 82 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$853.85 $836.77 $820.04
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FZ2400R17HP4HOSA2
Infineon Technologies
$852.22
FZ2400R12HP4PHPSA1
Infineon Technologies
$837.3
FF800R17KE3NOSA1
Infineon Technologies
$822.75
FF1400R17IP4BOSA1
Infineon Technologies
$819.04
FZ2400R12HP4HOSA2
Infineon Technologies
$814.91