Image is for reference only , details as Specifications

FZ800R12KS4B2NOSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: FZ800R12KS4B2NOSA1
Описание: MODULE IGBT A-IHM130-1
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT -
Статус части Not For New Designs
Мощность - Макс 7600W
Конфигурации Single
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор No
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 125°C
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 3.7V @ 15V, 800A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 1200A
Вхотогие емки (Cies) 52nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 5mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 73 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1,007.10 $986.96 $967.22
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FZ2400R17HP4B9HOSA2
Infineon Technologies
$1006.96
FD600R17KE3KB5NOSA1
Infineon Technologies
$1001.98
FZ2400R17HE4B9HOSA2
Infineon Technologies
$989.76
FZ1600R17HP4B2BOSA2
Infineon Technologies
$989.76
FD800R17HP4KB2BOSA2
Infineon Technologies
$977.49