Image is for reference only , details as Specifications

IMW120R090M1HXKSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IMW120R090M1HXKSA1
Описание: COOLSIC MOSFETS 1200V
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии CoolSiC™
Тип FET N-Channel
Vgs (Макс) +23V, -7V
Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-247-3
Vgs (th) (Max) 5.7V @ 3.7mA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 117mOhm @ 8.5A, 18V
Рассеивание мощности (Макс) 115W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO247-3-41
Заряд ворот (Кг) (Макс) 21nC @ 18V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 1.2kV
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 707pF @ 800V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 26A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 15V, 18V

На складе 79 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$14.85 $14.55 $14.26
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

R6050JNZ4C13
ROHM Semiconductor
$14.8
IXFH220N20X3
IXYS
$14.13
STWA40N95K5
STMicroelectronics
$13.45
NTHL027N65S3HF
ON Semiconductor
$13.43
IMZ120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
$12.8