Image is for reference only , details as Specifications

IMW120R350M1HXKSA1

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	IMW120R350M1HXKSA1
Описание:	COOLSIC MOSFETS 1200V
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	CoolSiC™
Тип FET	N-Channel
Vgs (Макс)	+23V, -7V
Технологии	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Through Hole
Пакет / Дело	TO-247-3
Vgs (th) (Max)	5.7V @ 1mA
Операционная температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	455mOhm @ 2A, 18V
Рассеивание мощности (Макс)	60W (Tc)
Пакет устройств поставщика	PG-TO247-3-41
Заряд ворот (Кг) (Макс)	5.3nC @ 18V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	1.2kV
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	182pF @ 800V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	4.7A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	15V, 18V