IPAN65R650CEXKSA1
Производителей: | Infineon Technologies |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Лист данных: | IPAN65R650CEXKSA1 |
Описание: | MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3 |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Infineon Technologies |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Серии | CoolMOS™ |
Тип FET | N-Channel |
Упаковки | Tube |
Vgs (Макс) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Функция FET | Super Junction |
Статус части | Active |
Тип монтажа | Through Hole |
Пакет / Дело | TO-220-3 Full Pack |
Vgs (th) (Max) | 3.5V @ 210µA |
Операционная температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 650mOhm @ 2.1A, 10V |
Рассеивание мощности (Макс) | 28W (Tc) |
Пакет устройств поставщика | PG-TO220 Full Pack |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 23nC @ 10V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 650V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 440pF @ 100V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 10.1A (Tc) |
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 10V |
На складе 63 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.61 | $0.60 | $0.59 |
Минимальный: 1