Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IPAN65R650CEXKSA1

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	IPAN65R650CEXKSA1
Описание:	MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	CoolMOS™
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tube
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	Super Junction
Статус части	Active
Тип монтажа	Through Hole
Пакет / Дело	TO-220-3 Full Pack
Vgs (th) (Max)	3.5V @ 210µA
Операционная температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	650mOhm @ 2.1A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	28W (Tc)
Пакет устройств поставщика	PG-TO220 Full Pack
Заряд ворот (Кг) (Макс)	23nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	650V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	440pF @ 100V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	10.1A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V