Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IPB009N03LGATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPB009N03LGATMA1
Описание: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Vgs (th) (Max) 2.2V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 0.95mOhm @ 100A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 250W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO263-7-3
Заряд ворот (Кг) (Макс) 227nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 25000pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 180A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 4.5V, 10V

На складе 3384 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

SPB80P06PGATMA1
Infineon Technologies
$0
PSMN4R8-100BSEJ
Nexperia USA Inc.
$0
STP9NK50ZFP
STMicroelectronics
$1.74
PSMN1R1-40BS,118
Nexperia USA Inc.
$0
ATP304-TL-H
ON Semiconductor
$0