Image is for reference only , details as Specifications

IPB015N08N5ATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPB015N08N5ATMA1
Описание: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Vgs (th) (Max) 3.8V @ 279µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 1.5mOhm @ 100A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 375W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO263-7
Заряд ворот (Кг) (Макс) 222nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 80V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 16900pF @ 40V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 180A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 6V, 10V

На складе 98 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.20 $3.14 $3.07
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IPB048N15N5ATMA1
Infineon Technologies
$0
IAUS300N08S5N012ATMA1
Infineon Technologies
$6.98
IAUT300N08S5N014ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPT60R050G7XTMA1
Infineon Technologies
$0
PSMN4R3-100PS,127
Nexperia USA Inc.
$2.66