IPB015N08N5ATMA1
Производителей: | Infineon Technologies |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Лист данных: | IPB015N08N5ATMA1 |
Описание: | MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3 |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Infineon Technologies |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Серии | OptiMOS™ |
Тип FET | N-Channel |
Упаковки | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Макс) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Функция FET | - |
Статус части | Active |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Vgs (th) (Max) | 3.8V @ 279µA |
Операционная температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 1.5mOhm @ 100A, 10V |
Рассеивание мощности (Макс) | 375W (Tc) |
Пакет устройств поставщика | PG-TO263-7 |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 222nC @ 10V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 80V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 16900pF @ 40V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 180A (Tc) |
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 6V, 10V |
На складе 98 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$3.20 | $3.14 | $3.07 |
Минимальный: 1