Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPB029N06N3GE8187ATMA1
Описание: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) 4V @ 118µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 3.2mOhm @ 100A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 188W (Tc)
Пакет устройств поставщика D²PAK (TO-263AB)
Заряд ворот (Кг) (Макс) 165nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 60V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 13000pF @ 30V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 120A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 80 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.97 $0.95 $0.93
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

TN2540N3-G-P002
Lanka Micro
$0.97
PSMN005-75P,127
Nexperia USA Inc.
$0.97
FCPF380N60-F152
ON Semiconductor
$0.96
FCPF1300N80ZYD
ON Semiconductor
$0.96
DMG7N65SCTI
Diodes Incorporated
$0.96