Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IPB035N08N3GATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPB035N08N3GATMA1
Описание: MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) 3.5V @ 155µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 3.5mOhm @ 100A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 214W (Tc)
Пакет устройств поставщика D²PAK (TO-263AB)
Заряд ворот (Кг) (Макс) 117nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 80V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 8110pF @ 40V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 100A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 6V, 10V

На складе 1768 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IPB80N08S2L07ATMA1
Infineon Technologies
$0
FQPF4N90C
ON Semiconductor
$1.63
FDP8447L
ON Semiconductor
$1.62
IRF100B202
Infineon Technologies
$1.62
PSMN7R0-100PS,127
Nexperia USA Inc.
$1.62