Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IPB039N10N3GATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPB039N10N3GATMA1
Описание: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Vgs (th) (Max) 3.5V @ 160µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 3.9mOhm @ 100A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 214W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO263-7
Заряд ворот (Кг) (Макс) 117nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 8410pF @ 50V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 160A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 6V, 10V

На складе 2000 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

BSC014N06NSATMA1
Infineon Technologies
$1.35
FDB52N20TM
ON Semiconductor
$1.4
IRF1407STRLPBF
Infineon Technologies
$0
FQP27P06
ON Semiconductor
$1.48
NVMFS5A160PLZWFT1G
ON Semiconductor
$0