Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IPB042N10N3GE8187ATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPB042N10N3GE8187ATMA1
Описание: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) 3.5V @ 150µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 4.2mOhm @ 50A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 214W (Tc)
Пакет устройств поставщика D²PAK (TO-263AB)
Заряд ворот (Кг) (Макс) 117nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 8410pF @ 50V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 100A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 6V, 10V

На складе 95 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.38 $1.35 $1.33
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

DMT6005LCT
Diodes Incorporated
$1.38
DMT4005SCT
Diodes Incorporated
$1.38
IXTU5N50P
IXYS
$1.37
FCB199N65S3
ON Semiconductor
$1.37
NTMFS4965NFT1G
ON Semiconductor
$1.37