Image is for reference only , details as Specifications

IPB065N10N3GATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPB065N10N3GATMA1
Описание: MOSFET N-CH TO263-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) 3.5V @ 90µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 6.5mOhm @ 80A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 150W (Tc)
Пакет устройств поставщика D²PAK (TO-263AB)
Заряд ворот (Кг) (Макс) 64nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 4910pF @ 50V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 80A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 6V, 10V

На складе 83 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.18 $1.16 $1.13
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

NVMFS5C612NLWFAFT3G
ON Semiconductor
$1.18
RJK2076DPA-00#J5A
Renesas Electronics America
$1.17
IPB65R310CFDATMA2
Infineon Technologies
$1.17
AUIRL7766M2TR
Infineon Technologies
$1.17
IRF6785MTRPBF
Infineon Technologies
$0