Image is for reference only , details as Specifications

IPB093N04LGATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPB093N04LGATMA1
Описание: MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Obsolete
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) 2V @ 16µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 9.3mOhm @ 50A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 47W (Tc)
Пакет устройств поставщика D²PAK (TO-263AB)
Заряд ворот (Кг) (Макс) 28nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 40V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 2100pF @ 20V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 50A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 4.5V, 10V

На складе 98 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IPB075N04LGATMA1
Infineon Technologies
$0
IPB072N15N3GE8187ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPB049N06L3GATMA1
Infineon Technologies
$0
IPB041N04NGATMA1
Infineon Technologies
$0
IPB039N04LGATMA1
Infineon Technologies
$0