Image is for reference only , details as Specifications

IPB100N08S207ATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPB100N08S207ATMA1
Описание: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) 4V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 6.8mOhm @ 80A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 300W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO263-3-2
Заряд ворот (Кг) (Макс) 200nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 75V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 4700pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 100A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 83 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.55 $1.52 $1.49
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IPB100N08S2L07ATMA1
Infineon Technologies
$1.55
CSD17556Q5BT
NA
$1.55
IPB50R199CPATMA1
Infineon Technologies
$1.55
IRFI3306GPBF
Infineon Technologies
$1.55
TK15A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.55